방향족 아조 분자를 이용하여 MIM 구조의 소자에서 3가지 다른 상태를 갖는 기억 소자를 구현하였다.

Azo1 화합물을 합성한 후에 이를 ITO 유리판위에 75nm 정도 두께로 진공 증착한 후 상부에 알루미늄 전극을 중착하여 MIN|M 타입의 소자를 제작하여 아래 그림 A와 같은 IV를 얻었다. 처음 0 V에서 -3V까지 전압을 증가시키면 -1.37 V와 -2.09V에서 두 번의 전류의 증가가 관측된다. 이는 낮은 전도도 상태 (0)에서 중간정도의 전도도 상태인 1 그리고 높은 전도도 상태인 2의 3가지 상태가 안정적으로 관측되었다.

Molecular Structures of Azo1−4

Illustration of the sandwich device

I−V characteristics of the memory device fabricated with Azo1