그래핀은 우수한 전도성과 전하이동도를 가지고 있지만 에너지 밴드갭이 존재하지 않는 특성으로 인해 반도체 소자로 응용되기에는 문제점이 있다. 그러나 그래핀이 폭이 10 nm 이하인 나노리본을 형성하게 되면 밴드갭이 열리면서 반도체 소자로 사용될 수 있는 가능성이 있고, 이 경우 그래핀의 우수한 전하이동도를 갖는 성능이 좋은 전자소자로 개발될 수 있다. 따라서 그래핀 나노리본을 얻어내기 위해 많은 시도가 있어왔다. 예를 들어 직접 그래핀 나노리본을 합성할 수도 있고, 다중벽 나노튜브의 벽을 갈라 그래핀 나노리본으로 형성하기도 한다. 그러나 지금까지 보고된 방법들의 경우 (특히 다중벽 나노튜브로 부터 그래핀 나노리본을 얻어내는 경우) 나노리본의 수율이 극히 적고, 생성된 그래핀 나노리본에 결함이 많아 실질적으로 응용하기는 어려운 실정이다. 저자들은 상대적으로 온화한 분위기에서 다중벽 나노튜브를 산화시킨 후 벽을 여는 방법으로 그래핀 나노리본을 손쉽게 얻을 수 있었다.
위의 그림은 실험의 모식도를 보여준다. 우선 다중벽 나노튜브를 온도 500 도 정도에서 탄화시킨다. 이 조건은 탄소 나노튜브에서 불순물을 제거하는 정제방법으로, 튜브 자체에 새로운 결함을 형성하지는 않게된다. 다음에 이 나노튜브를 PmPV (poly(m-phenylenevinylene-co-diotoxy-p-phenylenevinylene) 가 들어있는 DCE (1, 2-dichloroethane) 용액에 넣고 초음파를 이용하여 벽을 열어주게 된다. 마지막으로 원심분리를 이용하여 그래핀 나노리본을 나머지 풀리지 않은 나노튜브 및 기타 나노입자들과 분리하는 과정을 거친다. 저자들은 처음 사용한 나노튜브의 2% 에 해당하는 높은 수율로 그래핀 나노리본을 얻을 수 있었으며 그래핀 나노리본의 결함 정도 및 우수성을 나타내는 라만신호 ID/IG 비율도 0.2 에 불과하여 패턴된 나노리본 (~1.5)에 비해 훨씬 결함이 적은 우수한 특성을 나타냄을 보였다. 또한 이와 같이 얻어진 그래핀 나노리본으로 소자를 제작하고 전기적 특성을 탐색한 결과, 14 nm 의 그래핀 나노리본 소자에서 1500cm2/VS 의 높은 전하이동도를 얻었으며 저온에서 소자의 전기전도도가 기존 공정으로 얻어진 소자에 비해 10 배 이상 우수함을 알 수 있었다. 또한 저온, p 채널에서 전기전도도의 진동현상 (Fabry-Perrot oscillation) 을 관측함으로서 전자가 길이 200 nm 의 그래핀에서 위상을 유지하면서 진행함을 보였다. 반면 그래핀 소자의 n 채널은 온도를 내리면서 전기전도도가 감소하는 특성을 보였는데, 이것은 전극으로 사용된 Pd 와 그래핀 나노리본 사이에 쇼트키 장벽이 형상되기 때문인 것으로 예상된다. 온도 의존성으로부터 얻어진 14 nm 그래핀 나노리본 소자의 에어지 갭은 약 10~15 meV 에 해당한다.